TSM900N06CP ROG دیتاشیت

TSM900N06CP ROG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TSM900N06CP ROG
حجم فایل 71.097 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت TSM900N06CP ROG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Taiwan Semiconductor TSM900N06CP ROG
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 500pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,6A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Taiwan Semiconductor

محصولات مشابه